Infineon IRF6727MTR1PBF

Name: Infineon IRF6727MTR1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6727MTR1PBF

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 3.05

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF6727MTR1PBF	0	1K	Bulk				3.050	2.800	12h
Farnell	2	IRF6727MTR1PBF	0	1	Cut Tape	2.550*	2.550*	2.059*	1.800*	1.800*	6h
Win Source		WS-IRF6727MTR1PBF	20	40				1.171	0.952	0.952	20h
Worldway Electronics		IRF6727MTR1PBF	9,755	7	Tape & Reel		0.323	0.313	0.297	0.297	2d
GreenTree Electronics		IRF6727MTR1PBF	100								4d

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IHS

Datasheet9ページ17年前

element14 APAC

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-06-20

LTD Date2014-12-20

説明

Infineon IRF6727MTR1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 1.22 mOhm, ID 32A, DirectFET

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

Verical

MOSFET, N, DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:MX; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:32A; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:260A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1.35V

element14 APAC

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MT package rated at 32 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier