Infineon IRF6716MTR1PBF

Name: Infineon IRF6716MTR1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6716MTR1PBF

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 2.85

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF6716MTR1PBF	0	1K	Bulk				2.850	2.580	13h
Farnell	IRF6716MTR1PBF	0	1		2.031*	2.031*	1.718*	1.622*	1.622*	7h
Win Source	WS-IRF6716MTR1PBF	3,110	3			18.601	15.601	15.601	15.601	21h
Worldway Electronics	IRF6716MTR1PBF	19,511	7	Tape & Reel		0.771	0.748	0.708	0.708	2d
SHENGYU ELECTRONICS	IRF6716MTR1PBF	7,136	1		1.087	1.066	1.030	1.000	0.960	5d

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IHS

Datasheet9ページ17年前

Datasheet10ページ17年前

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-04-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF6716MTR1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 39 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier

Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:25V; Continuous Drain Current, Id:39A; On Resistance, Rds(on):1.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:MX ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, DIRECTFET, 25V, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Transistor Case Style:MX; No. of Pins:5; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:6716; Current Id Max:39A; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:3.6mW; Pulse Current Idm:320A; SMD Marking:3.6; Termination Type:SMD; Voltage Vds:25V; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.4V; Voltage Vgs th Min:1.4V

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