Infineon IRF6729MTR1PBF

Name: Infineon IRF6729MTR1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6729MTR1PBF

Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 4.57

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF6729MTR1PBF	0	1K	Bulk				4.570	4.160	11h
Farnell	IRF6729MTR1PBF	0	1		3.587*	3.587*	2.201*	1.508*	1.508*	17h
Klychip	IRF6729MTR1PBF	連絡先	1							>1wk
QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD	IRF6729MTR1PBF	連絡先								>1wk
North Star Micro	NS-IRF6729MTR1PBF	連絡先								6d

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IHS

Datasheet9ページ17年前

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-06-20

LTD Date2014-12-20

説明

Infineon IRF6729MTR1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N Channel, MOSFET, 30V, 32A, DirectFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.00122ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 31 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier

MOSFET, N CH, 30V, 31A, DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:DirectFET MX; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)

Farnell