Infineon IRF6725MTR1PBF

Name: Infineon IRF6725MTR1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6725MTR1PBF

MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 1.7 mOhm, ID 28A, DirectFET

$ 2.74

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF6725MTR1PBF	0	1K	Bulk				2.740	2.490	7h
Farnell	IRF6725MTR1PBF	0	1		2.278*	2.278*	1.537*	1.099*	1.099*	5h
Win Source	WS-IRF6725MTR1PBF	2,980	30				1.624	1.319	1.319	19h
Worldway Electronics	IRF6725MTR1PBF	11,164	7	Tape & Reel		0.295	0.286	0.271	0.271	1d
Anlinkda	IRF6725MTR1PBF	21,798			1.645	1.473	1.257	1.236	1.185	3d

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IHS

Datasheet10ページ17年前

Datasheet9ページ17年前

element14 APAC

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-08-14

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 weeks ago)

説明

Infineon IRF6725MTR1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 1.7 mOhm, ID 28A, DirectFET

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 28 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier

MOSFET, N, DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:MX; No. of Pins:7; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:28A; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:220A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1.35V

element14 APAC