Infineon IRF6715MTR1PBF

Name: Infineon IRF6715MTR1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6715MTR1PBF

MOSFET, N-Ch, VDSS 25V, RDS(ON) 1.3 mOhm, ID 24A, DirectFET

$ 2.7

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF6715MTR1PBF	0	1K	Bulk				2.700	2.480	1d
Farnell	IRF6715MTR1PBF	0	1		1.138*	1.138*	1.050*	1.009*	1.009*	7h
Win Source	WS-IRF6715MTR1PBF	34,006	23				1.776	1.489	1.489	8h
Worldway Electronics	IRF6715MTR1PBF	15,562	7	Tape & Reel		0.648	0.628	0.595	0.595	1d
Voyager Components	IRF6715MTR1PBF-IR-1004	310			3.913	3.913	2.956	1.650	1.650	14h

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IHS

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Datasheet9ページ15年前

Newark

element14 APAC

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-08-15

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-06-20

LTD Date2014-12-20

説明

Infineon IRF6715MTR1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, N-Ch, VDSS 25V, RDS(ON) 1.3 mOhm, ID 24A, DirectFET

RS (Formerly Allied Electronics)

DIRECTFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 25V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 34 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier

MOSFET, N, DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:DirectFET MX; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Current Id Max:34A; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:270A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1.4V

element14 APAC