Infineon IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF540ZPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 21Milliohms; ID 36A; TO-220AB; PD 92W; gFS 36V

$ 0.534

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	37J1436	2,169	1		1.310	0.804	0.741	0.534	0.511	1d
Newark		IRF540ZPBF	4,360	1		1.310	0.804	0.741	0.534	0.511
Arrow Electronics	3	IRF540ZPBF	37,733	1		0.804	0.804	0.687	0.515	0.421
DigiKey		IRF540ZPBF-ND	27,656	1	Tube	1.860	1.860	0.793	0.572	0.448
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF540ZPBF	0	2	Bulk		0.730	0.690	0.690	0.690	1d

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Newark

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InfineonIRF540ZPBF

InfineonAUIRF540Z

Price @ 1000

$ 0.534

$ 1.528

Stock

698,269

131,033

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

36 A

Threshold Voltage

4 V

2 V

Rds On Max

26.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

92 W

Input Capacitance

1.77 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2002-05-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-08-19

LTD Date2010-02-19

説明

Infineon IRF540ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-220AB;PD 92W;gFS 36V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 26.5 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 92 W

Distrelec

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

N Channel Mosfet, 100V, 36A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:36A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF540ZPBF.

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

MOSFET, N, 100V, 36A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:92W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:36A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.64°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:26.5ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:92W; Power Dissipation Pd:92W; Pulse Current Idm:140A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC