CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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関連部品
NexperiaBUK7575-100A,127
N CH MOSFET, TRENCH AUTO, 100V, 75A, 3TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Co
説明
Vishay IRF540PBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 100 V 0.077 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 28 A, 77 MilliOhms, TO-220AB, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB / MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 100V, 28A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):77mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:28A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:150W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:20V
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Current28 A
Current Rating28 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance77 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation150 W
Rds On Max77 mΩ
Recovery Time360 ns
Resistance77 mΩ
Rise Time44 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage100 V
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height19.89 mm
Length10.51 mm
Width4.7 mm