価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRF3415STRLPBF | 800 | 800 | 2d | ||||||||
| Newark | IRF3415STRLPBF | 1,299 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF3415STRLPBF | 3,486 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRF3415STRLPBF | 50,400 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | IRF3415STRLPBFCT-ND | 405 | 1 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Infineon IRF3415STRLPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIRFS5615TRLPBF
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
説明
Infineon IRF3415STRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Single N-Channel 150 V 0.042 Ohm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
3.8W(Ta),200W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 200nC@ 10 V 1N 150V 42m¦¸@ 22A,10V 43A 2.4nF@25V D2PAK 5.08mm
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Surface Mount
IRF3415STRLPBF,MOSFET, 150V, 4 3A, 42 MOHM, 133.3 NC QG, D2-
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:43A; On Resistance, Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:200W ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)43 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance42 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max42 mΩ
Resistance4.2 MΩ
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント