Infineon IRF3205ZPBF

Name: Infineon IRF3205ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3205ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 4.9MILLIOHMS; Id 110A; TO-220AB; Pd 170W; -55DE

$ 0.649

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRF3205ZPBF	51,339					0.697	0.578	0.515	13h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF3205ZPBF	3	1	Bulk	0.930	0.840	0.840	0.840	0.840	2h
DigiKey		IRF3205ZPBF-ND	2,331	1	Tube	2.250	2.250	0.980	0.760	0.760
Avnet		IRF3205ZPBF	0	1K					0.486	0.469	1d
Future Electronics	2	IRF3205ZPBF	0	25	Tube			0.750	0.735	0.685

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Datasheet13ページ15年前

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DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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部品

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InfineonIRF3205ZPBF

InfineonAUIRF3205Z

Price @ 1000

$ 0.649

$ 2.81

Stock

858,320

629,331

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220-3

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

4 V

2 V

Rds On Max

6.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

170 W

Input Capacitance

3.45 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-03-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

説明

Infineon IRF3205ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 4.9Milliohms;ID 110A;TO-220AB;PD 170W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 6.5 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 170 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):6.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:170W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:6.5mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:170W; Power Dissipation Pd:170W; Pulse Current Idm:440A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon