Infineon IRF4104PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 4.3MILLIOHMS; Id 120A; TO-220AB; Pd 140W; -55DE
$ 0.719
Obsolete

価格と在庫

データシート & ドキュメント

Infineon IRF4104PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet12ページ15年前
Datasheet13ページ15年前
Datasheet13ページ22年前

Factory Futures

DigiKey

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

在庫履歴

3か月間の傾向:
-0.19%

CADモデル

製造元 Infineon IRF4104PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソースeCADmCADファイル
EE Concierge
シンボルフットプリント
SnapEDA
フットプリント
ダウンロード
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約プライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

Price @ 1000
$ 0.719
$ 2.705
Stock
1,150,968
348,785
Authorized Distributors
6
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
5.5 mΩ
5.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
3 nF
3 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19

関連部品

InfineonIRLB8748PBF
Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
InfineonIRF3709PBF
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A⑥) | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
NXP SemiconductorsPSMN8R0-40PS
Mosfet Transistor, N Channel, 77 A, 40 V, 6.2 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIRLB8743PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
onsemiFDP8896
RAIL/30V,92A,5.9m ohm ,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
onsemiFDP6670AL
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

説明

Infineon IRF4104PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 4.3Milliohms;ID 120A;TO-220AB;PD 140W;-55de
Single N-Channel 40 V 5.5 mOhm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 140 W
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 40V, 120A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります:

  • 4104PBF
  • IRF4104
  • IRF4104/PBF
  • IRF4104PBF.
  • IRF4104PBF..
  • SP001554010