Infineon IRF2804PBF

Name: Infineon IRF2804PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF2804PBF

Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 280.6 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220

$ 1.13

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRF2804PBF	1,154	1		2.940	1.610	1.440	1.180	1.180
Arrow Electronics	2	IRF2804PBF	2,860	1		1.072	1.072	1.072	1.072	1.072
Future Electronics	2	IRF2804PBF	64	50	Tube			1.030	0.975	0.925
Rochester Electronics		IRF2804PBF	6,956					1.360	1.130	1.010	21h
DigiKey		IRF2804PBF-ND	3,647	1	Tube	3.420	3.420	1.544	1.159	1.000

在庫履歴

3か月間の傾向 : -0.17%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF2804PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet12ページ15年前

Datasheet13ページ15年前

IHS

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

在庫履歴

3か月間の傾向:

-0.17%

CADモデル

製造元 Infineon IRF2804PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2002-10-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-10-25

LTD Date2015-04-25

説明

Infineon IRF2804PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 280.6 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220

Jameco

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 280A;TO-220AB;PD 330W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 40 V 2.3 mOhm 240 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 300 W

Distrelec

40V 75A 300W 2.3m´Î@10V75A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

Trans MOSFET N-CH 40V 280A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC; Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull

Infineon

N Channel Mosfet, 40V, 270A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:270A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF2804PBF.

Newark

MOSFET, N, 40V, 280A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:280A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:330W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:270A; Device Marking:IRF2804PBF; Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:2.3ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:1080A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC