CADモデル
製造元 onsemi FDP8442-F085 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2012-02-23
LTD Date2012-08-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
関連部品
InfineonIPP100N04S303AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 N-Channel 40 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIRF1404ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.7Milliohms;ID 190A;TO-220AB;PD 220W;-55de
説明
onsemi FDP8442-F085の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
254W(Tc) 4V@ 250µA 235nC@ 10V 1individualNChannel 40V 3.1mΩ@ 80A,10V 12.2pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
N-Channel PowerTrench® 40V, 80A, 3.1mΩ
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
23A, 40V, 0.0031OHM, N-CHANNEL,
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation254 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation254 W
Rds On Max3.1 mΩ
Rise Time19.3 ns
Turn-Off Delay Time57 ns