Infineon IRF1104PBF

Name: Infineon IRF1104PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1104PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 0.009 Ohm; Id 100A; TO-220AB; Pd 170W; Vgs +/-20V

$ 0.922

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	IRF1104PBF	68	1		0.932	0.932	0.932	0.932	0.932
Rochester Electronics	2	IRF1104PBF	10,533					1.100	0.913	0.814	7h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF1104PBF	0	50	Bulk			1.530	1.350	1.350	8h
Farnell	2	IRF1104PBF	13,366	1		1.883*	1.120*	1.049*	0.900*	0.882*	7h
Mouser		942-IRF1104PBF	5,239	1	Tube	1.090	1.090	1.090	0.930	0.930

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Farnell

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Datasheet9ページ22年前

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Usa

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1998-01-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon IRF1104PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 0.009Ohm;ID 100A;TO-220AB;PD 170W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor MOSFET Negative Channel 40 Volt 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Jameco

Single N-Channel 40 V 0.009 Ohm 93 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

N Channel Mosfet, 40V, 100A, To-220Ab; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:100A; On Resistance Rds(On):0.009Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes

Newark