CADモデル
製造元 onsemi NTP85N03G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 0.543
$ 0.263
Stock
1,426,972
408,886
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
28 V
28 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
2.15 nF
2.15 nF
サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-09-30
LTD Date2010-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi NTP85N03Gの詳細は販売業者から提供されます。
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 85A Tc 85A 80W 30ns
Trans MOSFET N-CH 28V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET 85 Amps, 28 Volts
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs- Power and Small Signal 28V 85A N-Channel
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating85 A
Drain to Source Breakdown Voltage28 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)28 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max6.8 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)28 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width25.4 mm