Infineon IPW65R080CFDAFKSA1

Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
$ 3.995
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代替部品

Price @ 1000
$ 3.995
$ 4.79
Stock
234,125
101,515
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-247
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
43.3 A
43.3 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
80 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
391 W
391 W
Input Capacitance
4.44 nF
-

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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説明

Infineon IPW65R080CFDAFKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, To-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43.3A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.072Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R080CFDAFKSA1

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります:

  • IPW65R080CFDA
  • SP000875806