CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIPW60R040C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 40 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
STMicroelectronicsSTW56N65M2
N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
説明
Infineon IPW65R045C7FKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 650 V 45 mOhm CoolMOSTM C7 Power Transistor-PG-TO-247-3
INFINEON IPW65R045C7Power MOSFET, N Channel, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V
Transistor MOSFET N-Channel 650V 46A 3-Pin TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 46A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 46A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V; P
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:46A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.5V; Power Dissipation:227W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW65R045C7FKSA1.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 46 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 650 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 45 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 14 / Turn-OFF Delay Time ns = 82 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 227
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.34 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance45 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation227 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height25.4 mm