価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IPD60R385CPATMA1 | 5,000 | 2500 | |||||||||
| Future Electronics | IPD60R385CPATMA1 | 5,000 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | IPD60R385CPATMA1 | 1,427 | 16h | |||||||||
| DigiKey | IPD60R385CPATMA1CT-ND | 29,946 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPD60R385CPATMA1 | 0 | 2500 | 1d |
CADモデル
製造元 Infineon IPD60R385CPATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-31
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIPD60R380C6ATMA1
83W(Tc) 20V 3.5V@ 320¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 3.8A,10V 10.6A 700pF@100V DPAK 2.56mm
STMicroelectronicsSTD15N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm typ., 11 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
説明
Infineon IPD60R385CPATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / CoolMOS Power Transistor
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-252; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:650V; Current, Id Cont:9A; On State Resistance:0.385ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Typ Voltage Vgs th:3V; Case Style:TO-252; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):385mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9A; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Pd:83W; Pulse Current Idm:27A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance385 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance790 pF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance385 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation83 W
Rds On Max385 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)600 V