CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD16N65M2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTD16N50M2
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
InfineonIPD65R380C6ATMA1
Power Mosfet, N Channel, 10.6 A, 650 V, 0.34 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPD65R380E6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD11NM65N
N-channel 650 V, 0.425 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD15N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
説明
STMicroelectronics STD16N65M2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 11A, TO-252;
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
110W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 19.5nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 360m¦¸@ 5.5A,10V 11A 718pF@100V TO-252 SMD mount
Power MOSFETs, 650V, 11A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
650V 11A 320m´Î@10V5.5A 110W 3V@250uA 1.1pF@100V N Channel 718pF@100V 19.5nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) DPAK MOSFETs ROHS
MOSFET, N-CH, 650V, 11A, TO-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:11A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance718 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max360 mΩ
Schedule B8541290080