Infineon IPB200N25N3GATMA1

Name: Infineon IPB200N25N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB200N25N3GATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

$ 3.496

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Avnet	2	IPB200N25N3GATMA1	2,000	1K					3.370	3.210	5d
Newark	2	IPB200N25N3GATMA1	6,296	1	Cut Tape	8.440	5.370	4.970	4.970	4.970
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Rochester Electronics		IPB200N25N3GATMA1	1,429					3.120	2.790	2.620	1d
DigiKey	3	IPB200N25N3GATMA1CT-ND	19,301	1	Cut Tape	7.970	5.397	3.942	3.816	3.816

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InfineonIPB200N25N3GATMA1

InfineonIPB64N25S320ATMA1

Price @ 1000

$ 3.496

$ 3.445

Stock

909,880

396,217

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263

TO-263-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

250 V

Continuous Drain Current (ID)

64 A

Threshold Voltage

Rds On Max

20 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

300 W

Input Capacitance

5.34 nF

7 nF

サプライチェーン

Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-10-27

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

説明

Infineon IPB200N25N3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET Transistor, N Channel, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

Newark

Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N CH, 250V, 64A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P

element14 APAC

Infineon's 250V OptiMOS™ products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

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