onsemi FDB8832

Name: onsemi FDB8832
Brand: onsemi
SKU: FDB8832

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ

$ 2.048

Obsolete

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Distributor		SKU		Min
Avnet		FDB8832	46,387	2632					1.916	6d
Verical	2	FDB8832	371	162				2.088	1.963
Arrow Electronics		FDB8832	1	1	2.048	2.048	2.048	2.048	2.048
Rochester Electronics		FDB8832	1,648				1.860	1.670	1.570	30m
Flip Electronics		FDB8832	46,387							>1wk

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Technical Drawing1ページ5年前

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Future Electronics

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-10-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2021-10-08

LTD Date2022-04-08

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

説明

onsemi FDB8832の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 80A, 2.1mΩ

onsemi

FDB8832 Series 30V 80 A 2.1 mOhm N-Ch. Logic Level PowerTrench Mosfet - TO-263AB

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:11400pF; Current Id Max:80A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:80A; Reverse Recovery Time trr Typ:59ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC