Infineon BSZ0904NSIATMA1

Name: Infineon BSZ0904NSIATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ0904NSIATMA1

2.1W 20V 1.2V 8.5NC@ 4.5V, 17NC@ 10V 1N 30V 4M¦¸@ 10V 40A 1.1NF@ 15V Son , 3.3MM*3.3MM*1.1MM

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	50Y1836	22	1		1.120	0.699	0.458	0.354	0.354	14h
Newark	2	BSZ0904NSIATMA1	22	1	Cut Tape	0.243	0.243	0.243	0.243	0.243
Arrow Electronics		BSZ0904NSIATMA1	7,440	1		0.277	0.269	0.267	0.267	0.267
Rochester Electronics		BSZ0904NSIATMA1	3,511					0.306	0.254	0.226	12h
DigiKey	3	BSZ0904NSIATMA1CT-ND	32,900	1	Cut Tape	1.160	0.727	0.476	0.333	0.304

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-04-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon BSZ0904NSIATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

2.1W 20V 1.2V 8.5nC@ 4.5V,17nC@ 10V 1N 30V 4m¦¸@ 10V 40A 1.1nF@ 15V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm

Unikeyic (ICkey)

30V 75A 3.3mΩ@10V,30A 37W 2V@250uA 1 N-Channel TSDSON-8-EP(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

ODG (Origin Data Global)

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON T/R

Avnet

On a Reel of 5000, Infineon BSZ0904NSIATMA1 MOSFET

Fly-Wing Technology

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-Ch 18A 30V OptiMOS TSDSON8EP

RS APAC

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Future Electronics

OptiMOS™ 30V in S308 package, PG-TSDSON-8, RoHS

Infineon SCT

BSZ0904NSI Infineon Technologies

YIC International

MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Pow

element14 APAC

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).

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