Infineon BSZ0902NSATMA1

Name: Infineon BSZ0902NSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ0902NSATMA1

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 0.388

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	BSZ0902NSATMA1	5,000	1		0.360	0.360	0.360	0.360	0.360
Rochester Electronics		BSZ0902NSATMA1	9,647					0.409	0.339	0.302	11h
DigiKey	3	BSZ0902NSATMA1CT-ND	9,950	1	Cut Tape	1.430	0.901	0.596	0.423	0.387
Avnet		BSZ0902NSATMA1	0	5K						0.268	4d
Future Electronics	2	BSZ0902NSATMA1	0	5K	Tape & Reel					0.500

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-04-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon BSZ0902NSATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance

element14 APAC

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon

MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 48W; Transistor Case Style: TSDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell