Infineon BSC050N03LSGATMA1

Name: Infineon BSC050N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC050N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8

$ 0.309

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		BSC050N03LSGATMA1	10,000	5K						0.205	22h
DigiKey	2	BSC050N03LSGATMA1CT-ND	1,924	1	Cut Tape	1.290	0.805	0.526	0.367	0.277
Arrow Electronics	2	BSC050N03LSGATMA1	11,205	1		0.868	0.586	0.407	0.275	0.227
Newark		BSC050N03LSGATMA1	0	5	Cut Tape		0.710	0.462	0.323	0.323
Rochester Electronics		BSC050N03LSGATMA1	0					0.284	0.236	0.210	20h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-03-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon BSC050N03LSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8

Epart123

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Surface Mount

EBV Elektronik

MOSFET, N CH, 80A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon