Infineon BSC034N03LSGATMA1

Name: Infineon BSC034N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC034N03LSGATMA1

Mosfet Devices; Infineon; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W

$ 0.363

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		BSC034N03LSGATMA1	2,449					0.437	0.363	0.324	20m
Arrow Electronics		BSC034N03LSGATMA1	5	1		0.323	0.323	0.323	0.323	0.323
Avnet		BSC034N03LSGATMA1	0	5K							2h
Farnell	2	BSC034N03LSGATMA1	0	5K	Cut Tape					0.367*	1d
Mouser		726-BSC034N03LSGATMA	1,657	1	Tape & Reel	1.800	1.110	0.730	0.491	0.371

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2009-02-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-09-30

LTD Date2026-03-31

説明

Infineon BSC034N03LSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET Devices; INFINEON; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W

Maritex

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance

element14 APAC

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V; Power Dissipation Pd: 57W; Transistor Case Style: PG-TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS 3 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell