価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | AUIRFR2905ZTRL | 1,262 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | AUIRFR2905ZTRL | 2,516 | 1d | |||||||||
| Avnet | AUIRFR2905ZTRL | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Microchip USA | AUIRFR2905ZTRL | 263 | 3K | 18h | ||||||||
| Win Source | WS-AUIRFR2905ZTRL | 43,000 | 50 | 1h |
CADモデル
製造元 Infineon AUIRFR2905ZTRL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.19
$ 0.458
$ 0.458
Stock
331,958
857,818
857,818
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
14.5 mΩ
14.5 mΩ
14.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
110 W
Input Capacitance
1.38 nF
1.38 nF
1.38 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-10-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
InfineonIRLR2905ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
説明
Infineon AUIRFR2905ZTRLの詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, N-Ch, 55V, 59A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies AUIRFR2905ZTRL
Single N-Channel 55 V 14.5 mOhm 44 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance14.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time35 ns
Input Capacitance1.38 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max14.5 mΩ
Rise Time66 ns