価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | AUIRF3205ZSTRL | 0 | 1 | Cut Tape | 19h | |||||||
| Microchip USA | AUIRF3205ZSTRL | 339 | 600 | 11h | ||||||||
| Component Stockers USA | AUIRF3205ZSTRL | 21,480 | 9h | |||||||||
| Win Source | WS-65157 | 88,440 | 21 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | AUIRF3205ZSTRL | 11,136 | 7 | Tape & Reel | 18h |
CADモデル
製造元 Infineon AUIRF3205ZSTRL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.894
$ 0.894
Stock
7,243,913
1,676,853
1,676,853
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
170 W
170 W
Input Capacitance
3.45 nF
3.45 nF
3.45 nF
関連部品
InfineonIRF1010ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 5.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-20
InfineonIPB80N06S208ATMA2
55V, N-Ch, 7.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
説明
Infineon AUIRF3205ZSTRLの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 55V, 75A, To-263; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(On):0.0049Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time67 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation170 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time95 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm