CADモデル
製造元 Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
関連部品
InfineonIRF7306TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
onsemiNTMD4184PFR2G
Dual P-Channel FETKY™ Power MOSFET -30V -4.0A 95mΩ, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
STMicroelectronicsSTS4DPF30L
Dual Mosfet, Dual P Channel, -4 A, -30 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes
Diodes Inc.ZXMC3A16DN8TC
Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
説明
Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TCの詳細は販売業者から提供されます。
ZXMHC3 Series 30 V 33 mOhm 2N/2P-Ch. H-Bridge Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
DiodesZetex N/P-Channel MOSFET Vds=30V 4.1A 4.98A SOIC SMD 8-Pin
MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.98A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.98A I(D), 30V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.98 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance430 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.35 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.35 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance55 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time1.9 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント