CADモデル
製造元 STMicroelectronics STS4DPF30L のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
InfineonIRF7316TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID -4.9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
VishaySI4532ADY-T1-E3
SI4532ADY-T1-E3 DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 3.7 A, 30 V, 8-PIN SOIC
説明
STMicroelectronics STS4DPF30Lの詳細は販売業者から提供されます。
Dual Mosfet, Dual P Channel, -4 A, -30 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes
Dual P-Channel 30 V 0.08 Ohm Surface Mount STripFET MosFet - SOIC-8
DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 OHM - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 0.07Ohm, ID 4A, SO-8,PD 2W, VGS+/-16V,-55C
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 4A 8-Pin SO N T/R
MOSFET, PP CH, 30V, 4A, 8SOIC; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -4A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Po
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating-4 A
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 mΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.25 mm
Length5 mm
Width4 mm