価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | BSS138DWQ-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | BSS138DWQ-7 | 0 | 3K |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. BSS138DWQ-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Diodes Inc. BSS138DWQ-7の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, N-Ch, 50V, 0.2A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BSS138DWQ-7
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 200mW Surface Mount SOT-363
200mW 20V 1.5V@ 250¦ÌA 2N 50V 3.5¦¸@ 220mA,10V 200mA 50pF@10V SOT-363
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Dual N-CH 50V 0,2A 3,5OhmSOT363
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation200 mW
Rds On Max3.5 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.1 mm