Diodes Inc. BSS138DW-7-F

Name: Diodes Inc. BSS138DW-7-F
Brand: Diodes Inc.
SKU: BSS138DW-7-F

Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363

$ 0.11

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	25R4429	27,290	1		0.426	0.274	0.182	0.142	0.142	4d
Newark	2	BSS138DW-7-F	108,746	1	Cut Tape	0.390	0.245	0.161	0.112	0.112
Future Electronics	3	BSS138DW-7-F	231,000	3K	Tape & Reel					0.055
RS (Formerly Allied Electronics)		BSS138DW-7-F	986	1	Bulk	0.050	0.050	0.050	0.050	0.050	9h
TME	2	BSS138DW-7-F	117	1		0.365	0.268	0.157	0.096	0.068	2h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +93.40%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Diodes Inc. BSS138DW-7-Fのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet6ページ4年前

Diodes Inc SCT

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Mouser

在庫履歴

3か月間の傾向:

+93.40%

CADモデル

製造元 Diodes Inc. BSS138DW-7-F のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント	3D	ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-02-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Diodes Inc. BSS138DW-7-Fの詳細は販売業者から提供されます。

Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 200mA 6-Pin SOT-363 T/R

Avnet Japan

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Verical

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-363 Polarity: N/N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.2 W

Distrelec

Mosfet, N Channel, Dual, 50V, 200Ma, Sot-363; Transistor, Polaridad:Canal N Dual; Intensidad Drenador Continua Id:200Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:50V; Resistencia De Activación Rds(On):3.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. BSS138DW-7-F

Newark