CADモデル
製造元 Diodes Inc. NMSD200B01-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Diodes Inc. NMSD200B01-7の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
200mW(Ta) 20V 3V@1mA 1N 60V 3¦¸@ 50mA,5V 200mA 50pF@25V SOT-363
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
Multi-Chip, 0.87W, RoHS
Diodes Inc SCT
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Current Rating200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation200 mW
Rds On Max3 Ω
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm