CADモデル
製造元 Diodes Inc. BC847BV-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.056
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Stock
315,934
35,096,648
35,096,648
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-563
SOT-363
SOT-363
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
-
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
150 mW
350 mW
350 mW
関連部品
Diodes Inc.BC847BVC-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC847BVN-7
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
onsemiNSBC114TDXV6T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiEMD5DXV6T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Diodes Inc.DDC114YH-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
説明
Diodes Inc. BC847BV-7の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
BC847BVN Series 45 V 100 mA Complementary Pair Small Signal Transistor -SOT-563
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm