CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.052
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Stock
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3,851,721
3,851,721
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
SOT-363
SOT-363
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
100 mV
100 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
350 mW
200 mW
200 mW
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
Diodes Inc.BC847PN-7-F
BC847PN Series NPN/PNP 45 V 200 mW Small Signal Transistor Surface Mount-SOT-363
Diodes Inc.DDC114EU-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
説明
Nexperia BC847BS,115の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor
Bipolar Transistors (BJT); BC847BS,115; NEXPERIA; NPN; 6
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin TSSOP T/R
45V 220mW 100mA 2 NPN SC-70-6(SOT-363) Bipolar Transistors - BJT ROHS
100 mA 45 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistor Array; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation, Pd:220mW; DC Collector Current:100mA ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, DUAL, NPN, 45V, SC-88; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:220mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Dual Common Anode / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 450 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 220 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 300 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 755
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current2 A
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation220 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage45 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント