Vishay SISA12ADN-T1-GE3
$ 0.432
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +7.01%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SISA12ADN-T1-GE3.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay SISA12ADN-T1-GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySISA10DN-T1-GE3
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;30A;3.7MOHM @ 10V;POWERPAK 1212-8
VishaySIRA12DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
VishaySIRA10DP-T1-GE3
N-Channel 30 V 60 A 5 W 3.7 mOhm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK® SO-8
InfineonIRLR2703PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 23A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SISA12ADN-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
MOSFET For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch
3.5W(Ta),28W(Tc) 20V,16V 2.2V@ 250¦ÌA 45nC@ 10 V 1N 30V 4.3m¦¸@ 10A,10V 25A 2.07nF@15V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
MOSFET, N-CH, 30V, 25A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:28W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +7.01%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.07 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max4.3 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.1 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SISA12ADN-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità