Vishay SIRA10DP-T1-GE3
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NRND
Prezzo e stock
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SIRA10DP-T1-GE3 | 159 | 15 | |||||||||
| Arrow Electronics | SIRA10DP-T1-GE3 | 159 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SIRA10DP-T1-GE3CT-ND | 2752 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIRA10DP-T1-GE3 | 2435 | 1 | 12h | ||||||||
| TTI | SIRA10DP-T1-GE3 | 9000 | 3K | Tape & Reel | 14h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.70%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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InfineonAUIRLR2703
Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIRA10DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 30 V 60 A 5 W 3.7 mOhm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK® SO-8
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;30A;3.7MOHM @ 10V;POWERPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV
Vishay NMOS, Vds=30 V, 60 A, PowerPAK SO-8
N-Ch PowerPAK SO-8 BWL 30V 3.7mohm@10V
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:40W; Operating Temperature;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -19.70%
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.425 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max3.7 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length6.25 mm
Width5.26 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità