Vishay SIS890DN-T1-GE3

N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
$ 0.645
NRND
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIS890DN-T1-GE3.

Newark

Datasheet13 pagine10 anni fa
Datasheet13 pagine10 anni fa
Datasheet13 pagine11 anni fa

Farnell

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-1.66%

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

N-Channel 80 V 19.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
VISHAY SI7456DDP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V
onsemiFDD86102
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 36 A, 24 mΩ
InfineonIRFR540ZPBF
Single N-Channel 100 V 28.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SIS890DN-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.

N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:30A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.5V; Power Dissipation:52W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N-CH, 100V, PPAK-1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0195ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SIS890DN-T1-GE3.