Vishay SIS434DN-T1-GE3
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NRND
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonAUIRFR3504Z
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIS434DN-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 / Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | Siliconix / Vishay SIS434DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 17.6A I(D), 40V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
3.8W(Ta),52W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 40nC@ 10 V 1N 40V 7.6m¦¸@ 16.2A,10V 35A 1.53nF@20V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
FET Input Operational Amplifier
MOSFET,N CH,40V,35A,POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:3.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:17.6A; Power Dissipation Pd:3.8W; Voltage Vgs Max:20V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -72.07%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance7.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.53 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max7.6 mΩ
Resistance7.6 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità