Vishay SIA447DJ-T1-GE3
$ 0.237
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -22.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIA447DJ-T1-GE3.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Vishay SIA447DJ-T1-GE3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-07-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN1019USN-13
DMN1019 Series 12 V 9.3 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3
Diodes Inc.DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E / Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
Diodes Inc.DMP1022UFDE-7
Mosfet, P-Ch, 12V, 9.1A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP1022UFDE-7
VishaySIB488DK-T1-GE3
SiB488DK Series N-Channel 12 V 20 mOhm 13 W Power Mosfet -PowerPAK SC-75-6L
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIA447DJ-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, 12 A, -12 V, 0.011 ohm, -4.5 V, -400 mV
P-Channel 12 V 12 A 13.5 mOhm 19W Surface Mount Power MOSFET - PowerPAK-SC-70-6L
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 12V, 0.0135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay PMOS TrenchFET, Vds=12 V, 12 A, PowerPAK SC-70, , 6
MOSFET P-Ch 12V 12A PowerPAK SC70-6
MOSFET, P-CH, 12V, PPAK-SC70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:19W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SC70; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -22.16%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max13.5 mΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-400 mV
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIA447DJ-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità