Diodes Inc. DMN1019USN-13
$ 0.168
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN1019USN-13 | 19.427 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN1019USN-13 | 10.000 | 10K | |||||||||
| Verical | DMN1019USN-13 | 10.000 | 10K | |||||||||
| DigiKey | DMN1019USN-13DICT-ND | 34.679 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN1019USN-13 | 0 | 10K | 20h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -33.65%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN1019USN-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRLML6401TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML6401GTRPBF
-12V Single P-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN1019USN-13 fornite dai suoi distributori.
DMN1019 Series 12 V 9.3 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3
Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 12V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 12V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
680mW(Ta) 8V 800mV@ 250¦ÌA 50.6nC@ 8 V 1N 12V 10m¦¸@ 9.7A,4.5V 9.3A 2.426nF@10V SC-59-3 3mm*1.6mm*1.15mm
Mosfet, N-Ch, 12V, 9.3A, Sc-59; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(On):0.007Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:530Mv; Power Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN1019USN-13
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -33.65%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance2.426 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max10 mΩ
Rise Time57.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22.2 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. DMN1019USN-13.