Vishay SI7852ADP-T1-E3

Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-SO-8
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
AvnetSI7852ADP-T1-E303K
21h
TTI AsiaSI7852ADP-T1-E3Contatto
11h
Microchip USASI7852ADP-T1-E3272300
13h
Win SourceWS-SI7852ADP-T1-E3261035
20h
RC ElectronicsSI7852ADP-T1-E343.5121
>1wk

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7852ADP-T1-E3.

IHS

Datasheet13 pagine11 anni fa

Farnell

Newark

iiiC

Modelli CAD

Scarica il simbolo Vishay SI7852ADP-T1-E3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
SnapEDA
3DScarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

Parti correlate

onsemiFQB30N06LTM
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
Dettagli
onsemiFQB33N10LTM
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
Dettagli
onsemiFDD3670
PowerTrench® MOSFET, 100V N-Channel, 34A, 32mΩ
Dettagli
InfineonIRLR2908PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 22.5 Milliohms;ID 39A;D-Pak (TO-252AA);-55de
Dettagli
InfineonIRLR2908TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 22.5 Milliohms;ID 39A;D-Pak (TO-252AA);-55de
Dettagli
InfineonIRLR2908TRLPBF
Single N-Channel 80 V 28 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SI7852ADP-T1-E3 fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-SO-8
Future Electronics
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:30A; On Resistance Rds(On):0.017Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V Rohs Compliant: No
Newark
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:62.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:62.5W; Power Dissipation Pd:5W; Rise Time:9ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:80V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:2.5V
element14 APAC

Immagini

element14 APAC
Farnell
Future Electronics

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SI7852ADP-T1-E3.
  • SI7852ADPT1E3