Vishay SI7469DP-T1-GE3
$ 1.318
NRND
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Tendenza a 3 mesi: -23.33%
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1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Price @ 1000
$ 1.318
$ 1.651
Stock
1,224,442
897,556
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-80 V
-80 V
Continuous Drain Current (ID)
10.2 A
10.2 A
Threshold Voltage
-3 V
-10 V
Rds On Max
25 mΩ
25 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
83 W
83 W
Input Capacitance
4.7 nF
4.7 nF
Supply Chain
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-02
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
VishaySIR462DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohm 41.7 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
VishaySIR426DP-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 12.5 mOhm 9.3 nC 41.7 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI7469DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Si7469DP Series P-Channel 80 V 25 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 80V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Devices; VISHAY; SI7469DP-T1-GE3; -80 V; -28 A; 20 V; 83 W
Trans MOSFET P-CH 80V 28A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
80V 28A 25mΩ@10V,10.2A 5.2W P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS
5.2W(Ta),83.3W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 160nC@ 10 V 1P 80V 25m¦¸@ 10.2A,10V 28A 4.7nF@40V QFN-8 4.9mm*5.89mm*1.07mm
P-CH 80V 28A 25mOhm PowerPSO-8
P CHANNEL MOSFET, -80V, 28A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -80V, 28A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-28A; Drain Source Voltage Vds:-80V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -23.33%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-80 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 MΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time105 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità