Vishay SI7164DP-T1-GE3
$ 1.804
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -32.06%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7164DP-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
Parti correlate
onsemiNVMFS5C670NLT1G
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 71A, 6.1mΩ Power MOSFET 60 V, 6.4 mohm, 67 A, Single N-Channel
onsemiNTMFS5C670NLT1G
TRANSISTOR, MOSFET, POWER, SINGLE, N-CHANNEL, 60V, 6.1MOHM, 71A, NTMFS5C670NL
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI7164DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 60 V 0.00625 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 60V, 0.00625ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 60V, 60A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -32.06%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)23.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance6.25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.83 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max6.25 mΩ
Resistance6.25 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7164DP-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità