Infineon IRLR3636PBF

Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.52
Obsolete
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet11 pagine17 anni fa
Datasheet10 pagine17 anni fa

Farnell

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Parti alternative

Price @ 1000
$ 0.52
$ 0.718
$ 0.718
Stock
510,194
583,341
583,341
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
99 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF

Supply Chain

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Single N-Channel 55 V 12 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
InfineonAUIRFR1018E
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRLR3636PBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
MOSFET, 60V, 99A, 6.8 MOHM, 33 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH 60V 50A DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:143W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:99A; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:143W; Power Dissipation Pd:143W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFIRLR3636PBF
  • IRLR 3636PBF
  • IRLR3636PBF .
  • SP001553190