Infineon IRLR3636TRPBF

Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.718
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRLR3636TRPBF121Cut Tape
Future Electronics
2
IRLR3636TRPBF36.0002KTape & Reel
Arrow Electronics
4
IRLR3636TRPBF42521
Rochester ElectronicsIRLR3636TRPBF1000
6h
DigiKey
3
IRLR3636TRPBFCT-ND23.5871Cut Tape

Schede tecniche e documenti

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Newark

Datasheet11 pagine17 anni fa

IHS

Future Electronics

iiiC

Cronologia dell'inventario

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIRLR3636TRPBF
InfineonIRLR3636TRLPBF
InfineonIRLR3636TRLPBF
Price @ 1000
$ 0.718
$ 0.758
$ 0.758
Stock
689,254
159,196
159,196
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

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VishaySQD40N06-14L_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRLR3636TRPBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V;
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Immagini

Infineon
RS APAC
Newark
TME
Conrad
Future Electronics
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips
LCSC
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFIRLR3636TRPBF
  • SP001574002