Vishay SI4840BDY-T1-E3
$ 0.684
Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.51%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4840BDY-T1-E3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySI4048DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4840BDY-T1-E3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 40 V 9 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC | Siliconix / Vishay SI4840BDY-T1-E3
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 19A, SOIC-8, FULL REEL; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:19A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V RoHS Compliant: No
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12.4A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:6W; Power Dissipation Pd:2.5W; Rise Time:150ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.51%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current19 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4840BDY-T1-E3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità