Vishay SI4430BDY-T1-GE3
$ 0.995
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | SI4430BDY-T1-GE3 | 5000 | 2500 | Tape & Reel | 10h | |||||||
| TME | SI4430BDY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 21h | ||||||||
| Newark | SI4430BDY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI4430BDY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 10h | ||||||||
| Arrow Electronics | SI4430BDY-T1-GE3 | 0 | 2500 |
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4430BDY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
1.6W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 36nC@ 4.5 V 1N 30V 4.5m¦¸@ 20A,10V 14A SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm
Single N-Channel 30 V 0.006 Ohm 36 nC 1.6 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità