onsemi FDS8870
$ 0.804
EOL
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.07%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDS8870 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 2.5 W 112 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 18A, 4.2mΩ
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:18A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:90A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.07%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.615 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.2 mΩ
Resistance4.2 MΩ
Rise Time48 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDS8870.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità