Vishay SI4427BDY-T1-E3

Single P-Channel 30 V 0.0105 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
NewarkSI4427BDY-T1-E302500Cut Tape
TTI AsiaSI4427BDY-T1-E3Contatto
14h
TTI EuropeSI4427BDY-T1-E302500Tape & Reel
14h
FarnellSI4427BDY-T1-E301
11h
Win SourceWS-SI4427BDY-T1-E3490035
11h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI4427BDY-T1-E3.

Newark

Datasheet8 pagine9 anni fa
Datasheet9 pagine10 anni fa
Datasheet9 pagine13 anni fa
Datasheet6 pagine15 anni fa
Datasheet6 pagine16 anni fa
Datasheet9 pagine10 anni fa

IHS

Farnell

iiiC

Arrow Electronics

Modelli CAD

Scarica il simbolo Vishay SI4427BDY-T1-E3, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
SnapEDA
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

Diodes Inc.DMS3016SSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC T/R
Dettagli
InfineonBSO083N03MSGXUMA1
1.56W(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 30V 8.3m¦¸@ 14A,10V 11A 2.1nF@15V SOP 1.65mm
Dettagli
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
Dettagli
InfineonIRF9388TRPBF
Single P-Channel 30 V 11.9 mOhm 52 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Dettagli
onsemiFDS8880
TRANSISTOR, SINGLE, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 30V, 11.6A, SOIC8
Dettagli
InfineonIRL6342TRPBF
Single N-Channel 30 V 14.6 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SI4427BDY-T1-E3 fornite dai suoi distributori.

Single P-Channel 30 V 0.0105 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Win Source
30V 9.7A 1.5W 10.5m´Î@10V12.6A 1.4V@250Ã×A P Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Dasenic
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, P CH, -30V, -9.7A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0088ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:-
Farnell

Immagini

element14 APAC
Future Electronics
iiiC

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SI4427BDYT1E3