Infineon IRF9388TRPBF
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Obsolete
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Distributore
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Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginIsrael, Mainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF9388TRPBF fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 30 V 11.9 mOhm 52 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Mosfet, P-Ch, 30V, 12A, Soic Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF9388TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO P-Channel 30 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, P-CH, -30V, -12A, SOIC-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -12A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.0085oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance11.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Width3.9878 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità