Vishay IRL630SPBF
$ 1.39
Obsolete
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Vishay IRL630SPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 200 V 0.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 400 / Gate-Source Voltage V = 10 / Fall Time ns = 33 / Rise Time ns = 57 / Turn-OFF Delay Time ns = 38 / Turn-ON Delay Time ns = 8 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 74
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max400 mΩ
Recovery Time340 ns
Resistance400 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità